（报告出品方/作者：民生证券，方竞、张文雨）

1先进封装引领摩尔定律延续

半导体封装是半导体制造工艺的后道工序，是指将通过测试的晶圆加工得到独立芯片的过程，即将制作好的半导体器件放入具有支持、保护的塑料、陶瓷或金属外壳中，并与外界驱动电路及其他电子元器件相连的过程。

1.1先进封装发展历程

迄今为止全球集成电路封装技术一共经历了五个发展阶段。通常认为，前三个阶段属于传统封装，第四、五阶段属于先进封装。当前的主流技术处于以CSP、BGA为主的第三阶段，且正在从传统封装（SOT、QFN、BGA等）向先进封装（FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SIP等）转型。

传统封装以引线框架型封装为主，芯片与引线框架通过焊线连接，引线框架的接脚连接PCB，主要包括DIP、SOP、QFP、QFN等封装形式。

传统封装的功能主要在于芯片保护、尺度放大、电气连接三项功能，先进封装技术则对芯片进行封装级重构，能有效提高系统高功能密度。现阶段先进封装主要是指倒装焊（FlipChip)、晶圆级封装（WLP）、2.5D封装（Interposer）和3D封装（TSV）等。先进封装与传统封装的主要区别在于一级互联和二级互联方式的不同。一级互联方式主要包括：传统工艺—WireBonding（WB）；先进工艺—FlipChip（FC）。二级互联方式主要包括：传统工艺—通孔插装型/表面贴装；先进工艺—球栅阵列型（BGA）/平面网格阵列LGA/插针网格阵列（PGA）。因此FCBGA、FCLGA等封装就称为先进封装。同时，传统的元件封装也演变为系统封装，封装对象由单芯片向多芯片发展，由平面封装向立体封装发展。

市场规模方面，据Yole和集微咨询数据，年以来全球封测市场规模稳健增长，年达到亿美元。Yole预计总体市场规模将保持增长态势，年达到亿美元。

先进封装则有望展现高于封测市场整体的增长水平。据Yole预计，-年，全球整体封装市场规模年均复合增速4%，先进封装市场规模则达到7%的年均复合增速，并在年占据整体封装市场的49.4%。

1.2先进封装助力摩尔定律延续

摩尔定律主要内容为：在价格不变时，集成电路上可以容纳的晶体管数量每18-24个月便会增加一倍，即：处理器性能大约每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半。自年以来，集成电路先进制程的发展开始放缓，7nm、5nm、3nm制程的量产进度均落后于预期。随着台积电宣布2nm制程工艺实现突破，集成电路制程工艺已接近物理尺寸极限；与此同时芯片设计成本快速提升，以先进工艺节点处于主流应用时期设计成本为例，工艺节点为28nm时，单颗芯片设计成本约为0.41亿美元，而工艺节点为7nm时设计成本提升至2.22亿美元。

为有效降低成本、进一步提升芯片性能、丰富芯片功能，各家龙头厂商争相探索先进封装技术。先进封装技术作为提高连接密度、提高系统集成度与小型化的重要方法，在单芯片向更高端制程推进难度大增时，担负起延续摩尔定律的重任。

如今，除了单个芯片封装形式的演进以外，多芯片集成、2.5D/3D堆叠等技术也成为现阶段先进封装的主流技术路径，尤其对于大规模集成电路，Chiplet封装技术应运而生发挥重要作用，我们将在下文重点讨论。

2Chiplet：算力时代的共同选择

2.1算力时代来临，算力芯片降本增效需求凸显

AI技术蓬勃发展的当下，数据中心对高算力芯片的需求急速增长。GPU由于具备并行计算能力，可兼容训练和推理，高度适配AI模型构建，目前被广泛应用于加速芯片。随着ChatGPT带来新的AI应用热潮，数据中心对高算力的GPU芯片需求急速增长。相较于传统消费级芯片，算力芯片面积更大，存储容量更大，对互连速度要求更高，而Chiplet技术可以很好的满足这些大规模芯片的性能和成本需求，因而得到广泛运用。

Chiplet即小芯粒，它将一类满足特定功能的die（裸片），通过die-to-die内部互联技术将多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片。

2.2Chiplet技术在算力芯片领域的三大优势

（1）大面积芯片降低成本提升良率

由于更高的性能需求，算力芯片的diesize通常要远大于过去的消费级产品。例如Nvdia主流AI加速卡产品，diesize通常超过mm2。而近年来，随着先进制程推进，研发生产成本持续走高，大面积单颗SOC良率日益下降。Chiplet将单颗SOC的不同功能模块拆分成独立的小芯粒（即Chiplet），大大缩小了单颗die的面积，起到提升良率、降低成本的作用。DAC会议上，清华大学冯寅潇发表研究成果，结论表明在5nm制程，当芯片面积达到mm2以上，单颗SOC的成本将高于MCM工艺；当芯片面积达到mm2以上，由于良率的大幅下降，单颗SOC方案的成本将高于InFO工艺（MCM、InFO均为Chiplet技术的不同封装形式）。其成本差异就主要在大面积单芯片方案中的良率损失，在多芯片方案中大幅下降。

（2）HBM的导入

高性能计算应用对内存速率提出了更高的要求，借助3D封装技术的HBM则很好的解决了内存速率瓶颈。HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，其通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，并在硅interposer上与GPU封装在一起。HBM内部的DRAM堆叠属于3D封装，而HBM与GPU合封于Interposer上属于2.5D封装，是典型的Chiplet应用。

（3）允许更多计算核心的“堆料”

由于chiplet工艺引入了高速互连的Interposer或其他中介层，使得芯片厂商得以将多颗计算核心die进行合封，以提高芯片整体性能。Apple的M1Ultea芯片采用了台积电的InFO_LSI工艺，将两颗M1Max“拼接”，Apple将其成为UltraFusion芯片互连技术。LSI即本地硅互连（LocalSiliconInterconnect），即通过在RDL载板中嵌入一块硅桥实现两颗Die的高速互连。

与之类似，年8月，国产算力芯片厂商壁仞科技发布BR，采用台积电CoWoS-S工艺，将两颗计算核心封在一块硅Interposer上，其16位浮点算力达到0T以上、8位定点算力达到0T以上，创造全球算力纪录。

2.3行业龙头助力，算力芯片异构化已成大势所趋

得益于Chiplet技术在大规模算力芯片领域的优异表现，业内设计公司巨头纷纷加入推广Chiplet成为行业主流方案。年3月3日，AMD、Intel等半导体巨头宣布共同成立Chiplet行业联盟，目标共同打造Chiplet互连标准、推进开放生态，并制定了标准规范UCIe，在芯片封装层面确立互联互通的高速接口标准。

目前市面上的主流算力芯片厂商均导入了Chiplet方案，尤其是在AI芯片领域。Nvdia方面，当前主力产品A/H均采用台积电CoWoS2.5D封装，A采用7nm制程，最高配备80GBHBM2E；H则采用4nm制程，并配备最高80GBHBM3。AMD方面则推出了更大规模的Chiplet产品，其年6月14日正式发布的MIAI加速卡拥有13个小芯片，共包括9个5nm的计算核心（6个GCD+3个CCD），4个6nm的I/Odie兼InfinityCache（同时起到中介层的作用，位于计算核心和interposer之间），还配备了累计8颗共计GB的HBM3芯片。相较Nvdia的A/H系列产品，MI更进一步的将SOC拆分成了多颗小芯粒，并拥有更大的面积、芯粒数量、缓存颗粒数量。

国内算力芯片厂商亦在快速跟进，除了前文提到的壁仞科技以外，沐曦、天数等AI芯片厂商亦纷纷推出异构集成的GPU产品，导入HBM存储，我们相信Chiplet的技术优势将使其成为算力芯片未来的主流方案，给产业链各环节带来价值增量。下文我们将具体讨论Chiplet的产业链进展，以及其对国产供应链的拉动作用。

3龙头晶圆厂主导Chiplet技术路线

3.1台积电

晶圆代工龙头台积电是Chiplet工艺的全球领军者，也是当前业内主流算力芯片厂商的主要供应商，因此我们将做着重介绍。其于年将2.5D/3D先进封装相关技术整合推出3DFabric平台，由于Chiplet技术涉及芯片的堆叠，因此台积电将其命名为3DFabric?技术，旗下拥有CoWoS、InFO、SoIC三种封装工艺，代表当前Chiplet技术的三种主流形式。Intel和三星各自都有类似的2.5D/3D封装工艺，尽管命名不同，但结构与台积电方案类似。前段技术3DSoIC利用芯片间直接铜键合，具有更小间距；后段技术2.5D方面，CoWos扩展至三种不同转接板技术，InFO将封装凸块直接连接到再分配层。

（1）CoWoS

年台积电与Xilinx共同开发集成电路封装解决方案CoWoS，该封装技术已成为高性能和高功率设计的实际行业标准。CoWoS-S采用硅中介层，可以为高性能计算应用提供更高的性能和晶体管密度；CoWoS-R采用RDL中介层，利用InFO技术进行互连，更强调小芯片间的互连；CoWoS-L融合CoWoS-S和InFO技术优势，使用夹层与LSI（局部硅互连）芯片进行互连，使用RDL层进行电源和信号传输，提供了灵活的集成。英伟达、博通、谷歌、亚马逊、NEC、AMD、赛灵思、Habana等公司已广泛采用CoWoS技术。

（2）InFO

年台积电宣布2.5D封装技术InFO（IntegratedFanouttechnology）集成扇出晶圆级封装。台积电的InFO技术使用polyamide代替CoWoS中的硅中介层，降低了成本和封装高度，促进大规模生产应用。InFO具有高密度的RDL，适用于移动、高性能计算等需要高密度互连和性能的应用。

（3）SoIC

年台积电推出SoIC技术，包括chip-on-wafer（COW）和wafer-on-wafer（WOW）两种方案。与CoWoS和InFO不同，前面两种方案是在封装环节将完成晶圆级封装的逻辑芯片、HBM、Interposer等进行堆叠，因此成为后道3D制造（BackEnd3DFabric），而SoIC是在前道晶圆制造环节，就在逻辑芯片上制造TSV通孔，并将逻辑芯片之间（或逻辑芯片的晶圆之间）进行堆叠，这个过程称为前道3D制造（FrontEnd3DFabric），完成堆叠后的晶圆切割后可再进行类似InFO和CoWoS的后道封装。因此，SoIC与InFO/CoWoS并非并列、替代关系，而是将InFO/CoWoS所用到的单颗SoC替换成了经过3D堆叠的多颗SoC。SoIC是台积电异构小芯片封装的关键，具有高密度垂直堆叠性能，与CoWoS和InFO技术相比SoIC可以提供更高的封装密度和更小的键合间隔。

3.2Intel

作为全球CPU设计龙头厂商，Intel同时亦是领先的IDM厂商。其主推的Chiplet工艺包括EMIB和Foveros，分别类似于台积电的InFO_LSI和SoIC。EMIB是2.5D硅中介层的替代方案，die-substrate互连通过传统覆晶芯片方式，die-die桥接的部分用一个很小的Si片实现，并将这部分嵌入在载板内，和硅中介层（interposer）相比，EMIB硅片面积更微小、更灵活、更经济；与传统2.5D封装的相比，因为没有TSV，因此EMIB技术具有正常的封装良率、无需额外工艺和设计简单等优点。

Foveros技术是高于EMIB技术的3D芯片堆叠技术，利用晶圆级封装能力，与2D的EMIB封装方式相比，Foveros更适用于小尺寸产品或对内存带宽要求更高的产品。与TSMC的SoIC/CoWoS/InFO的关系类似，Foveros与EMIB亦可以配合使用。

3.3三星

三星基于“超越摩尔定律”方法的异构集成技术，沿着水平集成和垂直集成两种方向，先后研发出三大先进封装技术：I-Cube、H-Cube和X-Cube。I-Cube和H-Cube是2.5D封装方案。I-CUBE-S类似台积电的CoWoS-s，I-CUBE-E类似台积电的CoWoS-L。H-Cube方案则抛弃了大面积的ABF基板，采用面积较小的ABF基板或FBGA基板叠加大面积的HDI基板的方式。X-Cube则采用在3D空间堆叠逻辑裸片的方法，类似台积电的SoIC方案。而在芯片之间的互连方式上，X-Cube可以采用传统的u-bump，也可以使用更高端的混合键合（HybridBonding），HybridBonding可以容纳更高的I/O密度。

4Chiplet技术带来国产供应链机遇

本章我们将重点讨论Chiplet技术应用，尤其是增长潜力较大的算力芯片2.5D/3D封装带来的国产供应链机遇。主要包括：1）封测端：算力芯片广泛采用的2.5D/3D封装方案是对传统封装的重大升级，但封测厂商仍将扮演重要地位。尤其是在晶圆级封装等领域，与过去的FC封装有共通之处。2）设备端：Chiplet技术带来芯片数量的增长，测试设备用量。此外Chiplet技术还增加了晶圆级封装的需求，诸多晶圆制造设备迎来需求增量。3）材料端：Chiplet技术对芯片的高速互联需求增长，带来高速封装基板需求，此外高端封装耗材的用量亦会有所增加。

4.1封装：晶圆厂主导，封装厂商配套导入中

算力芯片的2.5D/3D封装主要包括中段晶圆级封装+后段封装。以台积电CoWoS封装为例：1）晶圆级封装：计算核心等芯片晶圆制造完成后在重构晶圆上制造RDL和bump；2）COW：将计算核心、I/Odie、HBM等芯片封装在Interposer上，即为CoWoS（chiponwaferonsubstrate）的chiponwafer环节；3）OS：完成CoW封装的整个系统在封装基板上封装，这一步即CoWoS的onsubstrate环节，其封装方式与传统的FCBGA的后段封装基本类似。

与传统的产业链分工不同的是，2.5D/3D封装是在晶圆制造和传统的后段封装之间增加了额外的环节，因此晶圆厂和封装厂均有参与机会。当前台积电基本垄断了全球算力芯片的2.5D封装市场，受益于算力芯片需求攀升，正在积极扩充封装产能。而于此同时，国内龙头封装厂亦在积极把握行业机遇，导入客户Chiplet产品供应链。通富微电已经具备7nmChiplet规模量产能力，并持续与AMD等龙头厂商加深合作；长电科技推出XDFOI?技术方案，已经实现国际客户4nm节点Chiplet产品的量产出货。此外，Chiplet应用加速了晶圆级封装的需求，国内诸多封测厂商都具备晶圆级封装能力，诸如长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子、盛合晶微等，有望迎来晶圆级封装的需求增量。我们看好Chiplet技术应用提速之下国内先进封装厂商的发展机遇。

4.2设备：晶圆级封装设备和后道封测设备需求增长

Chiplet应用对设备的需求拉动来自两方面：1）晶圆级封装设备。晶圆级封装需要的设备与前道晶圆制造类似，涉及光刻机、涂胶显影设备、薄膜设备、电镀设备、刻蚀设备、清洗设备、量测设备等。国产诸多公司都有相关业务：北方华创（刻蚀、薄膜、清洗等）、芯源微（涂胶显影、清洗）、盛美上海（电镀、清洗、涂胶显影、抛光）、中科飞测（检测）等。2）后道封测设备。Chiplet封装依旧需要和传统封装类似的封装和测试环节，有望成为国产封测设备厂商成长的新动力，包括：封装设备厂商新益昌、ASMP；测试设备厂商长川科技、华峰测控、金海通等。

4.3材料：ABF载板用量提升

Chiplet技术发展增大芯片封装面积，提升ABF载板用量。Chiplet是将一类满足特定功能的die（裸片），通过die-to-die内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片，要将这些芯片整合在一起需要更大的ABF载板来放置，这意味着ABF载板耗用的面积将随chiplet技术而变大，而载板的面积越大，ABF的良率就会越低，ABF载板需求也会进一步提高。同时，Chiplet先进封装的应用也会增加封装载板层数，具体层数与技术指标要求取决于芯片的设计方案。

ABF载板已经成为FC-BGA封装的标配。ABF载板又被称为味之素基板，其关键材料ABF膜被日本味之素公司垄断，是FC-BGA封装的标配材料。ABF载板作为芯片封装中连接芯片与电路板的中间材料，主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高运算性能芯片，其核心作用就是与芯片进行更高密度的高速互联通信，然后通过载板上的更多线路与大型PCB板进行互联，起着承上启下的作用，进而保护电路完整、减少漏失、固定线路位置、有利于芯片更好的散热以保护芯片，甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。ABF载板厂商主要集中在中国台湾、日本和韩国。根据QYResearch统计及预测，年全球ABF基板市场销售额达到43.68亿美元，预计年将达到65.29亿美元，CAGR为5.56%。目前ABF载板主要有七大供货商，年供货比重分别是欣兴21.6%、Ibiden19.0%、ATS16.0%、南电13.5%、Shinko12.1%、景硕7.2%、Semco5.1%，年除Semco外，其余厂商于皆有进行扩产。从生产端来看，日本、中国台湾和韩国主导了全球ABF载板生产，年这三大地区的市场份额分别为25%、44%和9.9%。

未来随着CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能运算芯片需求增长以及Chiplet技术的广泛应用，ABF载板的需求量将进一步提升。国内厂商如华正新材、生益科技、方邦股份、兴森科技、深南电路等正在加快核心技术研发，力争打破海外垄断格局。目前华正新材的CBF积层绝缘膜正在加快新产品开发进程，在CPU、GPU等半导体芯片封装领域进入了下游IC载板厂、封装测试厂及芯片终端验证流程，并取得了良好进展。

5投资分析

长电科技

长电科技成立于年，是全球领先的集成电路制造和技术服务企业。主营业务包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试。公司全面覆盖主流中高低封测技术，并覆盖WLP、2.5D/3D、SIP、高性能倒装芯片、引线互联等先进技术；业务实现对汽车领域、通信领域、高性能计算领域、存储领域的覆盖。长电旗下生产基地全球布局，拥有主营先进封装的星科金朋、长电韩国、长电先进、长电江阴，和主营传统封装的滁州、宿迁多个厂区。

长电科技在中国、韩国和新加坡拥有两大研发中心和六大集成电路成品生产基地，星科金朋、长电先进、长电韩国主营先进封装业务，而长电本部江阴厂、宿迁厂和滁州厂主营传统封装业务。各生产基地分工明确、各具技术特色和竞争优势。年半导体封测行业景气下行，但公司加快高性能封测领域的研发和客户产品导入，强化高附加值市场的开拓，优化产品结构和业务比重，实现收入和净利润逆势增长。年全年，公司实现营收.62亿元，同比增长10.69%；实现归母净利润32.31亿元，同比增长9.20%，创历年新高。年Q1，受半导体周期性下行影响，公司业绩短期承压，实现归母净利润1.10亿元，同比下滑87.24%，实现营收58.60亿元，同比下滑27.99%。

利润率和费用率方面，公司在过去数年间通过业务规模增长、运营管理精进，实现了较好的降费增效和盈利释放。-年，公司毛利率从11.71%提升至17.04%，期间费用率从13.55%下降至7.47%，年实现扭亏为盈，年实现净利率9.57%。年Q1，受行业景气度影响公司毛利率短期下滑至11.84%，净利率同步下滑至1.88%。

从下游市场结构来看，公司下游市场以通信和消费电子为主。年全年，公司收入结构中通讯电子占比39.3%、消费电子占比29.3%、运算电子占比17.4%、工业及医疗电子占比9.6%、汽车电子占比4.4%。运算电子和汽车电子两大成长性赛道将是公司重点发力方向。

通富微电

通富微电是全球第四、中国大陆第二OSAT厂商，年全球市占率6.51%，公司主要从事集成电路封装测试一体化服务。封装类型齐全，包含框架类封装，基板类封装和圆片类封装，以及COG、COF和SIP等。产品种类丰富，广泛应用于高性能计算、大数据存储、网络通讯、移动终端、车载电子、人工智能、物联网、工业智造等领域。公司共设有七大生产基地，分别为崇川总部、南通通富、合肥通富、通富超威苏州、通富超威槟城、厦门通富和通富通科。

年以来，封测行业需求走弱，但公司苏州、槟城厂收入保持了50%以上的强劲增长，年公司营收.29亿元，同比增长35.52%。稼动率下行更多地体现在国内业务，并影响了利润端，年公司归母净利润5.02亿元，同比下降47.53%，苏通厂、合肥厂均出现净利亏损。年Q1公司收入46.42亿元，保持正增长，年度收入目标亿，同比增长16%。

利润率和费用率方面，年公司毛利率和净利率分别为13.9%/2.48%，近五年来呈现明显波动的情况；同年，公司期间费用率为12.02%，自年来保持相对稳定态势。年Q1，公司毛利率和净利率分别为9.45%/0.23%，期间费用率为12.11%。

华天科技

公司主要从事半导体集成电路封装测试业务，封装产品可分为三大类：（1）引线框架类产品，主要包括DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN；（2）基板类产品，主要包括WBBGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP；（3）晶圆级产品，定位高端产品，主要包括WLP系列、TSV系列、Bumping系列和MEMS系列等。产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、物联网、工业自动化控制、汽车电子等电子整机和智能化领域。

受终端市场产品需求下降及集成电路行业景气度下滑影响，公司年营业收入.06亿元，同比下降1.58%；归母净利润7.54亿元，同比下降46.74%。景气度低迷持续到年Q1，公司实现营业收入22.39亿元，同比下降26%；归母净利润亏损1.06亿元，同比下降.2%。

利润率和费用率方面，年公司毛利率和净利率分别为16.84%/8.59%，近五年内出现明显的波动；同年，公司期间费用率为12.45%，自年来保持相对稳定态势。年Q1，公司毛利率和净利率分别为3.99%/-5.66%，期间费用率为14.13%。

业务拆分：集成电路封测：公司的主要业务，年因封测行业周期性下行，收入增速转负并呈现毛利率的下滑，预计年起伴随半导体下游需求逐渐回复，集成电路封测业务收入恢复增长。综合考虑行业景气度回升，以及公司年定增募投项目将在年底逐步达到可用状态，并在之后实现产能释放，我们预计-年会有更高的收入增速，预计-年收入同比增长14.5/17.4/17.8%，而毛利率仍受到价格及产能利用率影响，预计年仍将短期承压，并有望于年开始回升，逐步回到接近周期前高水平（年度），预计-年毛利率分别为14.2/18.2/20.1%。LED封测：收入占比较低，且相较集成电路业务更为低端，因此在行业下行周期呈现了较大的收入降幅和利润亏损。我们预计下游LED需求将在年触底，后续受有望受益于面板行业复苏、miniLED新品渗透等因素恢复增长，-年收入同比增长-30.1/9.0/4.3%。毛利率方面，短期价格及产能利用率维持地位仍将压制公司盈利水平，预计年起亏损收窄，并逐渐扭亏，-年毛利率分别为-19.5/-9.0/-0.3%。

甬矽电子

甬矽电子是一家新锐半导体封测企业，从成立之初即聚焦集成电路封测业务中的先进封装领域。公司拥有的主要核心技术包括高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术、应用于4G/5G通讯的射频芯片/模组封装技术、混合系统级封装(Hybrid-SiP)技术、多芯片(Multi-Chip)/高焊线数球栅阵列(WB-BGA)封装技术、基于引线框的高密度/大尺寸的QFN封装技术、MEMS光学传感器封装技术和多应用领域先进IC测试技术等。公司全部产品均为QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、FC-BGA、FC-LGA等中高端先进封装形式，并在系统级封装（SiP）、高密度细间距凸点倒装产品（FC类）、大尺寸/细间距扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）等先进封装领域具有较为突出的封装技术优势和先进性。

年，受到行业周期下行影响，公司营收增速放缓，全年营业收入21.77亿元，同比增长5.96%；实现归母净利润1.38亿元，同比下降57.11%。行业景气低迷持续到年Q1，该季度甬矽实现营收4.25亿元，同比下降26.85%；归母净利润为亏损0.50亿元，同比下降.04%。

收入构成方面，系统级封装产品（SiP）与扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）为公司两大主要营收来源。年，公司SiP业务收入12.25亿元；QFN/DFN业务收入6.32亿元；FC类业务收入2.92亿元；MEMS业务收入0.05亿元；其他业务及产品收入0.22亿元。利润率和费用率方面，受半导体行业需求波动影响，产品毛利率有所下滑，同时人员规模扩大、贷款增加等因素导致期间费用有所增长，影响利润表现。年毛利率为21.91%，净利率为6.30%，近五年来总体呈上升趋势；公司期间费用率为18.64%，自年来呈下降趋势。年Q1毛利率为8.39%，净利率为-13.60%，期间费用率为26.34%。

晶方科技

晶方科技是大陆晶圆级封测龙头，拥有领先的硅通孔（TSV)、晶圆级、Fanout、系统级等多样化的封装技术，目前同时具备8英寸和12英寸晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）技术的规模量产能力。公司重点聚焦以影像传感芯片为代表的智能传感器市场，封装的产品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份识别芯片、MEMS芯片等，广泛应用在手机、安防监控、身份识别、汽车电子、3D传感等电子领域。主要客户有豪威、格科微、索尼、晶相光电、思特威等；同时公司已进一步收购Anteryon，持有其81.09%股份，强化了对WLO业务和半导体封装技术的整合，有望进一步受益于MLA车灯需求增长；公司加大对以色列VisIC公司的投资，VisIC是全球领先的GaN器件设计公司，研发团队拥有数十年的产品研发经验，并已开发出GaN大功率晶体管和模块，其专利技术的氮化镓功率器件可广泛应用于快充、电动汽车、5G基站和数据中心、高功率激光等领域。公司通过对VisIC的布局，有望有效把握第三代半导体产业发展机遇。

年受市场需求下降、行业产能过剩库存高企、手机等消费电子产品创新力不足，更换设备的间隔拉长等多因素影响，公司所专注的影像传感器细分市场景气度疲软，年公司实现销售收入11.06亿元，同比下降21.62%，实现营业利润2.58亿元，同比下降59.63%，实现归属于母公司所有者的净利润2.28亿元，同比下降60.45%。年Q1，公司实现营收2.23亿元，同比下降26.89%；归母净利润0.29亿元，同比下降68.48%。

业务拆分：芯片封装：年受封测行业周期下行影响，芯片封装业务收入、毛利率均有下滑，预计年伴随下游封装周期触底，需求逐渐回复，收入恢复增长，预计-年收入同比增长15.0/20.0/20.0%，毛利率亦有望在年内底部企稳，考虑到年Q1毛利率的较大吓唬，我们预计全年毛利率仍将短期承压，年开始有望看到较为明显的回升，预计-年毛利率分别为45.0/46.0/47.0%。光学器件：年包含在芯片封装业务中，年起作为新业务在公司财报中单独披露，由于基数较低展现了较高的增速。公司预计年将加大投入开发提升微型光学器件的设计、研发与制造能力，加强荷兰Anteryon、晶方光电的业务与技术协同，进一步巩固混合镜头业务的技术领先能力，提高其在半导体设备、工业智能等领域的应用规模。完善增强晶圆级微型镜头业务的制造能力，拓展MLA产品的客户群体与业务规模，并大力推进在汽车大灯等智能交互领域的开发与商业化应用。因此预计未来保持较高的收入增长和盈利提升趋势，预计-年收入同比增长80.0/60.0/40.0%，业务规模逐渐起量有望带来规模优势和成本下降，预计-年毛利率分别为38.0/38.5/39.0%。

伟测科技

公司是国内知名的第三方集成电路测试服务企业，提供从测试方案开发、晶圆测试、芯片成品测试、SLT测试、老化测试、InTrayMark、LeadScan等全流程测试服务。公司测试的晶圆和成品芯片在类型上涵盖CPU、MCU、FPGA、SoC芯片、射频芯片、存储芯片、传感器芯片、功率芯片等芯片种类；在工艺上涵盖6nm、7nm、14nm等先进制程和28nm以上的成熟制程；在晶圆尺寸上涵盖12英寸、8英寸、6英寸等主流产品。公司的测试产品广泛应用于汽车电子、工业控制、通讯、计算机、消费电子等领域。

年，公司实现营业收入7.33亿元，同比增长48.64%，主要系下游集成电路测试需求旺盛，公司持续扩大测试产能，加大对新老客户产品的测试开发力度，使得集成电路测试收入保持较快增长所致；归母净利润24,.73万元，同比增长84.09%。年Q1受封测行业景气度周期下行影响，公司实现营收1.41亿元，同比下降15.38%；归母净利润0.27亿元，同比下降39.29%。

业务拆分：晶圆测试业务：公司的主要业务，得益于公司独特的第三方测试服务商商业模式，在封测行业下行周期中仍保持了较好的收入增速，预计未来保持稳健增长，-年收入同比增长40.0/40.0/35.0%。毛利率方面，年Q1整体毛利率略有下滑，预计未来伴随封测整体需求复苏，盈利将有所恢复，-年毛利率55.0/56.0/56.0%。成品类业务：成品测试业务为公司-年发力开拓方向，已实现可观收入规模，预计未来保持稳健增长，-年收入同比增长35.0/35.0/30.0%。毛利率方面，在市场开拓期业务毛利率有所下降，预计未来伴随收入规模扩大而逐步稳定，-年毛利率36.0/35.0/35.0%。其他业务：非主营业务，收入较少，预计未来收入伴随公司整体规模增长而稳定增长，毛利率则将维持稳定。-年收入同比增长45.0/45.0/45.0%，毛利率维持45.0%。

长川科技

长川科技成立于8年，公司主要为集成电路封装测试企业、晶圆制造企业、芯片设计企业等提供测试设备。目前主要销售产品为测试机、分选机、自动化设备及AOI光学检测设备等。公司生产的测试机包括大功率测试机、模拟测试机、数字测试机等；分选机包括重力式分选机、平移式分选机、测编一体机；自动化设备包括指纹模组、摄像头模组等领域的自动化生产设备；AOI光学检测设备包括晶圆光学外观检测设备、电路封装光学外观检测设备等。

年，归功于国家对集成电路产业

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